Научно исследовательский центр археологии
Турочакские писаницы Турочакские писаницыСопоставление первой и второй Турочакских писаниц показывает определенную близость этих памятников. Остановимся на данной проблеме более детально. Первое, что сближает эти местонахождения, способ нанесения рисунков. Все они выполнены красной (с различными оттенками)...
Истоки мировоззрения Истоки мировоззренияВероятно, именно в недрах окунёвской культуры следует искать истоки мировоззрения, обусловившего особенности наземных сооружений эпохи поздней бронзы, получивших наиболее яркое воплощение в планиграфии херексуров. Образно говоря: крест на донцах окунёвских...
Ритуальные памятники Ритуальные памятникиК вопросу о ритуальных памятниках эпохи бронзы южной Сибири: В разные годы авторами этой статьи были открыты своеобразные и по всем признакам близкие друг другу памятники эпохи бронзы, представляющие несомненный интерес для решения некоторых вопросов культурогенеза....
Окуневское искусство Памятники окуневского искусстваПредставляется, что памятники окуневского искусства, монументальная скульптура, наскальные изображения и мелкая пластика имеют достаточно много...
Исследование оптики, известные научные работы, практика физики
Научная информация

Двойной слой и устойчивость коллоидов

Большое влияние как на формирование представлений о пространственном строении двойного слоя, так и на развитие исследований электрокинетических явлений оказала установленная еще в начале текущего столетия корреляция между электрокинетическими явлениями и устойчивостью коллоидов. Харди был одним из первых, кто на примере частицы денатурированного альбумина обнаружил, что относительно устойчивые золи коагулируют в изоэлектрической точке.

В дальнейшем было показано, что в изоэлектрической точке коагулируют не все коллоиды, и соответственно возникла необходимость подразделять коллоиды по степени влияния электролитов, изменяющих их потенциал, на их устойчивость на две группы (лиофобные и лиофильные). Для лиофобных (ионо стабилизированных) коллоидов было обнаружено, что не только в изоэлектрической точке, но и в довольно широком интервале значений потенциала вблизи нее протекает коагуляция, по с меньшей скоростью.

Скорость коагуляции тем меньше, чем выше -потенциал, причем при достаточно больших -потенциалах система становится практически устойчивой. В некотором интервале значений £, вблизи изоэлектрической точки скорость коагуляции не зависит от I, т. е. пока заряд частицы мал, он вообще не влияет на коагуляцию, которая в этом случае протекает наиболее быстро и называется быстрой коагуляцией.

Охарактеризованная выше зависимость скорости коагуляции от потенциала позволяет ввести понятия: критический потенциал быстрой коагуляции, т. е. максимальное значение £, ниже которого ДС не влияет на коагуляцию, и критический потенциал начала коагуляции максимальный потенциал, при котором протекает коагуляция.

Хотя в дальнейшем оказалось, что значения критических потенциалов для различных золей могут быть различны и тем самым концепция критического потенциала в значительной степени утратила свое значение, в процессе изучения проблемы критического потенциала был накоплен значительный экспериментальный материал об электрокинетических явлениях. Хотя концепция универсального критического потенциала ошибочна, наблюдается зависимость скорости коагуляции лиофобных дисперсных систем от потенциала, однако она не универсальна, т. е. вид этой функциональной зависимости для различных золей и электролитов различен.

Теория влияния ДС на устойчивость лиофобных дисперсных систем непрерывно совершенствовалась и продолжает совершенствоваться и параллельно с ней развивались экспериментальные исследования, в качестве составной части которых всегда сохраняло свое значение изучение ДС на основе электрокинетических явлений.

Так как в основе электрокинетических явлений и устойчивости иона стабилизированных коллоидов лежит одно и то же свойство коллоидных частиц двойной слой, факторы, влияющие на строение последнего, аналогичным образом должны влиять на электрокинетические явления и устойчивость иона стабилизированных коллоидов.
Двойной слой и устойчивость коллоидов

Применение триодов

Одним из основных применений триода является применение его для усиления токов низкой частоты. Для усиления токов высокой частоты триоды обычной конструкции не применяются, так как из-за больших междуэлектродных емкостей они вносят значительные искажения в усиливаемый сигнал. Усиление токов низкой (звуковой) частоты применяется для получения "громкого" сигнала, т. е. для выделения большой мощности в нагрузке (телефоне или громкоговорителе).

Обычно схема лампового усилителя состоит из нескольких "каскадов" или ступеней усиления; в зависимости от того, какое усиление должна дать схема в целом, число каскадов может изменяться. Здесь усиливаемое переменное напряжение сигнала действует между сеткой " катодом первой лампы усилителя; при этом в цели анода получается пульсирующий ток, который протекает все время в одном направлении, но непрерывно -изменяет свою величину.

Из анодной цепи первой лампы усиленное напряжение сигнала подводится к сетке лампы второго каскада и это повторяется далее до последней оконечной лампы, в анодную цепь которой включена нагрузка, потребляющая усиленную мощность. Все предварительные каскады, кроме последнего, должны являться усилителями напряжения, т. е. перед ними стоит задача усиления напряжения сигнала до такой величины, которая, действуя на сетку последней лампы, должна выделить в нагрузке, включенной в анодную цепь этой лампы, необходимую полезную мощность.

Отсюда вытекает предъявляемое к этим каскадам требование иметь возможно больший рабочий коэффициент усиления. Последний "оконечный" или "выходной" каскад должен обеспечить выделение в нагрузке необходимой мощности. При этом обычно напряжение на зажимах этой нагрузки не должно превышать определенной величины, т. е. задачей лампы является обеспечить необходимую величину тока. Такой режим работы называется "усилением мощности (тока)".

В многокаскадных усилителях все каскады предварительного усиления делаются обычно по одной и той же схеме, так что в дальнейшем мы будем рассматривать схему двухкаскадного усилителя, состоящую из предварительного каскада усилителя напряжения и оконечного каскада усилителя мощности. В зависимости от того, каким образом осуществляется связь между анодной цепью первого каскада и сеточной цепью второго (при помощи активного сопротивления, дросселя или трансформатора) различают следующие виды усилительных схем. Усилитель постоянного тока применяется для усиления постоянных токов или токов очень низкой частоты 30 Hz).

Связь между каскадами осуществляется при помощи чисто активного сопротивления. Необходимо, не имел утечек, так как иначе сетка второй дампы получит дополнительное постоянное напряжение смещения, которое вызовет изменение режима работы усилителя. Недостатком этой схемы является большая потеря напряжения в активном сопротивлении Rai, что вызываем уменьшение анодного напряжения и ухудшает параметры схемы и ее к. п. д. Все же в обеих этих схемах .рабочий коэффициент усиления схемы невелик.
Читать статью

Полупроводниковые лазеры и светодиоды

Отличительной особенностью полупроводников, выделяющей их в отдельный класс материалов, является возможность управляемо изменять (инвертировать) тип их электропроводности. При этом диапазон изменения удельного сопротивления может достигать двадцати и более порядков. Именно эта особенность привела к созданию перехода и развитию полупроводниковой электроники и микроэлектроники. Области их применения весьма широки от простейших световых индикаторов до волоконно-оптических линий связи сверхвысокой емкости и лазерных систем обработки информации.

Их тиражи превышают миллионы при номенклатуре в несколько сотен модификаций. Обладая традиционными преимуществами полупроводниковых приборов: малыми габаритами, мгновенной готовностью к работе, низкими рабочими напряжениями, надежностью, совместимостью с интегральной полупроводниковой технологией, экономичностью и низкой стоимостью, светодиоды и инжекционные лазеры с высокой эффективностью преобразуют электрическую энергию (сигнал) в световую.

Полупроводниковые гетеропереходы и инжекционная электролюминесценция: В основе действия полупроводниковых светодиодов и инжекционных лазеров лежит электролюминесценция. Наиболее эффективным методом электрического возбуждения является инжекция не основных носителей заряда через переход при приложении к нему напряжения U в прямом направлении. Такая люминесценция называется инжекционной. За счет процессов рекомбинации их концентрация убывает по мере удаления от области объемного заряда.

При постоянной скорости рекомбинации (постоянном времени жизни) концентрация не основных носителей заряда будет уменьшаться с расстоянием по экспоненциальному закону. Расстояние, на котором их концентрация уменьшится в е раз, равно диффузионной длине. Эту величину можно принять за глубину, на которую проникают инжектированные носители заряда. Таким образом, глубину проникновения электронов в область можно считать равной их диффузионной длине L" в материале, а глубину проникновения дырок в область диффузионной длине Lp в материале.

По мере удаления от области объемного заряда квази уровни Ферми будут приближаться к равновесному уровню, сливаясь с ним. На расстоянии, равном диффузионной длине Д, или Lpt неравновесный квази уровень Ферми снижается (для электронов) или повышается (для дырок) приблизительно на от максимального значения на границе -л-перехода. Другими словами, расстояние FZ-F! как и ранее, определяется уровнем возбуждения, Заметим, что максимальное напряжение, которое может быть приложено к переходу, ограничено.

Для обычного гомо перехода это значение определяется полным спрямлением потенциального барьера. Внешним полем можно почти полностью убрать потенциальный барьер, но невозможно сделать его отрицательным. Физически это означает, что переходе (точнее, в гомо переходе) концентрация инжектированных не основных носителей заряда, как правило, не может превышать концентрацию этих же носителей в эмиттере, где они являются основными. Хвосты плотности состояний появляются вследствие сильного легирования материала.
Полупроводниковые светодиоды и лазеры


Поселение Тыткескень Поселение ТыткескеньПоселение Тыткескень находится в среднем течении Катуни...
Шлифованные ножи Шлифованные ножи Вогнутые шлифованные ножи представляют собой своеобразный...
Фрагменты керамики Фрагменты керамикиБыли найдены фрагменты керамики и куски дерева. Публикуя эти...
Участки карстовой системы Участки карстовой системыСохранились только наиболее удаленные от былого входа...